IGBT,SIC MOS柵極電荷測試服務(wù)(長禾半導(dǎo)體) |
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西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司功率器件測試實(shí)驗(yàn)室(簡稱長禾實(shí)驗(yàn)室)位于西安市高新技術(shù)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū),是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體器件測試服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè),是***CNAS 認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室,屬于***大功率器件測試服務(wù)中心。 長禾實(shí)驗(yàn)室擁有尖端的系統(tǒng)設(shè)備、專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和完善的服務(wù)體系。實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有的測試儀器設(shè)備100余臺套,專業(yè)測試人員20余名。我們緊跟國際國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn),以客戶需求為導(dǎo)向,不斷創(chuàng)新服務(wù)項(xiàng)目和檢測技術(shù),借助便利的服務(wù)網(wǎng)絡(luò),為合作伙伴提供優(yōu)質(zhì)高效的技術(shù)服務(wù)。 長禾實(shí)驗(yàn)室專注于功率半導(dǎo)體器件的動、靜態(tài)參數(shù)檢測、可靠性檢測、失效分析、溫循試驗(yàn)、熱阻測試等領(lǐng)域的技術(shù)服務(wù)。業(yè)務(wù)范圍主要涉及國內(nèi)軌道交通、風(fēng)力發(fā)電、科研單位、***院所、工業(yè)控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導(dǎo)體(寬禁帶半導(dǎo)體)應(yīng)用解決方案服務(wù)商。 長禾實(shí)驗(yàn)室秉承創(chuàng)新務(wù)實(shí)的經(jīng)營理念,為客戶提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)、完善的解決方案及全方位的技術(shù)支持;同時注重與行業(yè)企業(yè)、高校和科研院所的合作與交流,測試技術(shù)與服務(wù)水平不斷提升。 誠信立世,感恩回饋,歡迎選擇長禾實(shí)驗(yàn)室做您忠誠的合作伙伴,共謀發(fā)展大計(jì)! 直流參數(shù) MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產(chǎn)品; 檢測***電壓:7500V 檢測***電流:6000A 國標(biāo),IEC 雪崩能量 MOSFET、IGBT、DIODE,第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 檢測***電壓:2500V 檢測***電流:200A 美*** 柵極電阻 MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件 檢測阻抗:0.1Ω~50Ω JEDEC 開關(guān)時間 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體單管器件; 檢測***電壓:1200V 檢測***電流:200A 美***,國標(biāo),IEC等 開關(guān)時間 IGBT等模塊產(chǎn)品 檢測***電壓:2700V 檢測***電流:4000A 國標(biāo),IEC 反向恢復(fù) MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 檢測***電壓:1200V 檢測***電流:200A 美***,國標(biāo),IEC等 反向恢復(fù) IGBT等模塊產(chǎn)品 檢測***電壓:2700V 檢測***電流:4000A 國標(biāo),IEC 柵極電荷 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 檢測***電壓:1200V 檢測***電流:200A 美***,國標(biāo),IEC等 柵極電荷 IGBT等模塊產(chǎn)品 檢測***電壓:2700V 檢測***電流:4000A 國標(biāo),IEC 短路耐量能力 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 檢測***電壓:1200V 檢測***電流:1000A 美***,國標(biāo),IEC等 短路耐量能力 IGBT等模塊產(chǎn)品 檢測***電壓:2700V 檢測***電流:10000A 國標(biāo),IEC 結(jié)電容 MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 檢測***電壓:3000V IEC 參數(shù)曲線掃描 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半導(dǎo)體器件等單管器件的I-V、C-V曲線 檢測***電壓:3000V 檢測***電流:1500A 溫度:-70°C~180°C 美***,IEC等 熱阻性能 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半導(dǎo)體器件等單管產(chǎn)品 ***功率:250W 美***,JEDEC 熱阻性能 IGBT等模塊產(chǎn)品 ***功率:4000W 美***,JEDEC ESD能力 MOSFET、IGBT、IC等產(chǎn)品 HBM***電壓:8000V;MM***電壓:800V 美***,ANSI,JEDEC等 *正向浪涌能力 DIODE(Si/SiC)、整流橋 檢測***電流:800A 美***,國標(biāo)
規(guī)格: |
100 |
數(shù)量: |
100 |
包裝:無 |
日期: |
2020-11-13 |
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