IGBT功率器件動態參數測試儀主機可執行非破壞性的瞬態測量測試，包括對半導體器件絕緣柵雙極晶體管（IGBT），功率MOSFET，二極管，雙極型器件的測試頭。主機包括所有測試設備和必要的軟件分析，可執行電阻和電感的開關時間，開關損耗，柵極電荷，TRR /的Qrr和其他瞬態測試。

IGBT功率器件動態參數測試儀概述

測試電壓：zui大1200 VDC 200（短路電流可達1000A）
定時測量：zui低為1 ns
漏電流限制監視器
- MOSFET開關時間測試， Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢復時間測試，Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
- Qrr range：1nc~100uc，Trr range：10ns~2us
- MOSFET柵電荷Qg測試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- IGBT感性開關時間測試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps，Inductors range：0.1mH~159.9mH
- IGBT短路耐量測試，Max ISC=1000A

測試標準：
- MIL-STD-750 Series
ITC57300mos管功率器件動態參數測試儀選項

額外的電源供應器
額外的測試頭
大包裝適配器
ITC57300mos管功率器件動態參數測試儀測試頭

ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET，MIL-STD-750方法3472開關時間
ITC57220 - TRR /電源，MOSFET和二極管的Qrr，MIL-STD-750方法，3473
ITC57230 - 柵極電荷功率MOSFET，MIL-STD-750方法3471
ITC57240 - 電感式開關時間為IGBT，MIL-STD 750方法3477
ITC57250 - （ISC）短路耐受時間，MIL-STD-750方法3479