西安長禾半導體技術有限公司功率器件測試實驗室(簡稱長禾實驗室)位于西安市高新技術經濟開發區，是一家專業從事功率半導體器件測試服務的高新技術企業，是***CNAS 認可實驗室，屬于***大功率器件測試服務中心。
長禾實驗室擁有尖端的系統設備、專業的技術團隊和完善的服務體系。實驗室現有先進的測試儀器設備100余臺套，專業測試人員20余名。我們緊跟國際國內標準，以客戶需求為導向，不斷創新服務項目和檢測技術，借助便利的服務網絡，為合作伙伴提供優質高效的技術服務。
長禾實驗室專注于功率半導體器件的動、靜態參數檢測、可靠性檢測、失效分析、溫循試驗、熱阻測試等領域的技術服務。業務范圍主要涉及國內軌道交通、風力發電、科研單位、***院所、工業控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽車等行業。也是第三代半導體（寬禁帶半導體）應用解決方案服務商。
長禾實驗室秉承創新務實的經營理念，為客戶提供優質的服務、完善的解決方案及全方位的技術支持；同時注重與行業企業、高校和科研院所的合作與交流，測試技術與服務水平不斷提升。
長禾實驗室檢測能力范圍
1 功率金屬氧化物場效應管 1 漏源間反向擊穿電壓 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3407.1 只測： -3.5kV～3.5kV
半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 3407 只測： -3.5kV～3.5kV
2 通態電阻 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3421.1 只測： 0～10k&﹟8486;,,0～1500A
3 閾值電壓 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3404 只測： -10V～10V
4 漏極反向電流 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3415.1 只測： -100mA～100mA
5 柵極漏電流 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3411.1 只測： -100mA～101mA
6 體二極管壓降 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4011.4 只測： 0A～1500A
7 跨導 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3475.2 只測： 1ms～1000s
8 開關時間 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3472.2 只測： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A
9 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 3472 只測： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A
10 體二極管反向恢復時間 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3473.1 只測： 10ns～2μs
11 體二極管反向恢復電荷 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3473.1 只測： 1nC～100μC
12 柵極電荷 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3471.3 只測： Qg：0.5nC～500nC
13 單脈沖雪崩能量 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3470.2 只測： L：0.01mH～159.9mH， Ias：0.1A～1500A
14 柵極串聯等效電阻 功率MOSFET柵極串聯等效電阻測試方法 JESD24-11:1996(R2002) 只測： 0.1Ω～50Ω
15 穩態熱阻 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3161.1 只測： Ph：0.1W～250W
16 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 3161 只測： Ph：0.1W～250W
17 輸入電容 半導體器件 分立器件 第8部分：場效應晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.10 只測： -3kV～3kV,0～1MHz
18 輸出電容 半導體器件 分立器件 第8部分：場效應晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.11 只測： -3kV～3kV,0～1MHz
19 反向傳輸電容 半導體器件 分立器件 第8部分：場效應晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.12 只測： -3kV～3kV,0～1MHz
20 老煉試驗 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 1042 只測： 條件A、條件B， Vdsmax：3500V， Tjmax：200℃
21 溫度，反偏和操作壽命試驗 JESD22-A108F:2017 只測： HTRB和HTGB試驗
22 間歇功率試驗 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 1042 只測： 條件D（間歇功率）
23 穩態功率試驗 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 1042 只測： 條件C（穩態功率）
2 二極管 1 反向漏電流 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4016.4 只測： 0～100mA
半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 4016 只測： 0～100mA
2 反向擊穿電壓 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4021.2 只測： 0～3.5kV
3 正向壓降 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4011.4 只測： IS：0A～6000A
半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 4011 只測： IS：0A～6000A
4 浪涌電流 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 4066 只測： If：0A～9000A
5 反向恢復電荷 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3473.1 只測： 1nC～100μC
反向恢復時間 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3473.1 只測： 10ns～2us
6 二極管反壓變化率 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3476 只測： VR：5V～3300V， IF：1A～1500A
7 單脈沖雪崩能量 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4064 只測： L：0.01mH～159.9mH， IAS：0.1A～1500A
穩態熱阻 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3136 只測： Ph：0.1W～80W
8 總電容電荷 半導體器件 分立器件和集成電路 第2部分:整流二極管 IEC 60747-2:2016 6.1.8 只測： -3kV～3kV,0～1MHz
9 結電容 半導體器件 分立器件和集成電路 第2部分:整流二極管 IEC 60747-2:2016 6.1.8 只測： -3kV～3kV,0～1MHz
3 晶閘管 1 門極觸發電流 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4221.1 只測： 100nA～500mA
2 門極觸發電壓 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4221.1 只測： 5mV～5V
3 維持電流 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4201.2 只測： 10μA～1.5A
4 擎住電流 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4201.2 只測： 10μA～1.5A
5 浪涌電流 半導體測試方法測試標準 JB/T 7626-2013 只測： ITSM：0A～9000A
6 正向漏電流 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4206.1 只測： 1nA～100mA
7 反向漏電流 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4211.1 只測： 1nA～100mA
8 正向導通壓降 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4226.1 只測： IT：0～6000A
9 穩態熱阻 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3181 只測： Ph：0.1W～250W
4 晶體管 1 直流增益 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3076.1 只測： 1～50000
2 集射極飽和壓降 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3071 只測： 0～1250A
3 集射電極關態電流 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3041.1 只測： 0～100mA
4 集基電極關態電流 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3036.1 只測： 0～100mA
5 射基極關態電流 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3061.1 只測： 0～100mA
6 集射極反向擊穿電壓 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3011.2 只測： -3.5kV～3.5kV
半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 3011 只測： -3.5kV～3.5kV
7 集基極反向擊穿電壓 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3001.1 只測： -3.5kV～3.5kV
8 射基極反向擊穿電壓 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3026.1 只測： -3.5kV～3.5kV
9 基射極電壓 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3066.1 只測： 0V～1250A
10 穩態熱阻 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3131.6 只測： Ph：0.1W～250W
5 絕緣柵雙極型晶體管 1 集射間反向擊穿電壓 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-