IGBT,MOSFET器件功率模塊測試儀 |
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1. 概述 1.1 系統概述 現今Power MOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT(絕緣柵型場效應晶體管)已成為大功率元件的主流,在市場上居于主導地位。由于科技進步,電力電子裝置對輕薄短小及高性能之要求 ,帶動MOSFET及IGBT的發展,尤其應用于電氣設備、光電、航天、鐵路、電力轉換....等領域,使半導體開發技術人員在市場需求下,對大功率元件的發展技術,持續在突破。 半導體元件除了本身功能要良好之外,其各項參數能否達到電路上的要求,必須定期測量,否則產品的質量特性很難***,尤其是較大的功率元件,因具有耗損性,易老化及效率降低,因不平衡導致燒毀,甚至在使用中會發生爆炸。所以對新產品及使用中的元件參數的篩選及檢查更為重要。針對IGBT而言,IGBT是廣泛應用于現代中大功率變換器中的主流半導體開關器件。其中,城市軌道交通車輛的牽引逆變器、輔助逆變器等重要電氣設備中,大量使用了IGBT器件,IGBT器件的各種靜態參數為使用者可靠選擇器件提供了非常直觀的參考依據,因此準確測量IGBT的各種靜態參數具有極其重要的實際意義。 EN—3020C測試系統是西安易恩電氣科技有限公司推出的IGBT靜態測試系統,該系統符合國***GJB128-86和***標準GB/T 4587-94測試規范。 EN-3020C IGBT靜態參數測試系統是一款針對IGBT、MOSFET和二極管的各種靜態參數而研制的智能測試系統。 系統標準功率源為4000V/1500A。本系統適合各大***所做元器件檢驗,元件進廠檢測篩選以及在線開發器件做生產測試。系統可擴展性強,通過選件可以提高電壓、電流的測試能力和增加測試品種范圍。自動快速測試可以滿足用戶大生產需要,故障率低也***了用戶的生產效率。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試參數即可完成填表編程,操作人員不需具備專業計算機編程語言知識,使用簡捷方便。
1.2 系統特征 &﹟61548;針對 IGBT 的各種靜態參數而研制的智能測試系統 &﹟61548;大功率(電壓4000V,電流1500A) &﹟61548;自動化程度高(按照操作人員設定的程序自動工作) &﹟61548;計算機記錄測試結果,測試結果可轉化為文本或 EXCEL 格式存儲 &﹟61548;采用品牌工控機,具有抗電磁干擾能力強,排風量大等特點 &﹟61548;測試方法靈活(可完美測試器件以及單個單元和多單元的模塊測試) &﹟61548;安全穩定(PLC 對設備的工作狀態進行全程實時監控并與硬件進行互鎖) &﹟61548;具備在加熱條件下的各靜態參數測試功能。 1.3 測試范圍 EN-3020C系統是專為測試IGBT而設計。能夠真實準確測試出IGBT與二極管的靜態參數:其測試范圍如下: &﹟61548;柵極-發射極漏電流測試單元 VGES、IGES &﹟61548;柵極-發射極閾值電壓測試單元 Vge(th) &﹟61548;門極-發射極間電壓測試單元 VCES、ICES &﹟61548;集電極-發射極飽和電壓測試單元 Vge(sat)、IC &﹟61548;二極管壓降測試單元 VF、IF &﹟61548;二極管反向擊穿電壓測試單元 VR、IR &﹟61548;MOSFET導通電阻測試單元 Rdson
規格: |
800x800 |
數量: |
100 |
包裝: |
日期: |
2019-12-30 |
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